Concevez des memcapacitors HfZrO₂ pour l’électronique cryogénique, avec nanofabrication et caractérisations jusqu’à environ 20 mK à Sherbrooke.

Ce doctorat en génie électrique et informatique porte sur le fonctionnement de memcapacitors ferroélectriques en environnement cryogénique. Soutenu par le 3IT et l’Institut Quantique, le projet vise le contrôle et le réglage de qubits semi-conducteurs. Vous étudierez des composants non volatils, analogiques et à faible consommation pour le calcul quantique scalable.

Responsabilités clés :

- Concevoir des memcapacitors HfZrO₂ individuels et en réseaux crossbar
- Intégrer des électrodes supraconductrices TiN et NbN
- Réaliser lithographie, gravure sèche et passivation
- Caractériser les dispositifs par AFM, SEM et TEM
- Mesurer hystérésis,



rétention, endurance, programmation analogique et bruit

Exigences :

- Spécialisation en nanotechnologie, génie électrique ou science des matériaux
- Français et anglais courants
- Intérêt pour la conception et le travail expérimental en salle blanche
- Forte autonomie, adaptation, collaboration et résolution de problèmes
- Atouts en nanofabrication, mémoires résistives ou mesures cryogéniques

Développez une expertise expérimentale en memcapacitors ferroélectriques, fabrication avancée et électronique cryogénique pour qubits.

#J-18808-Ljbffr

📌 Doctorat Memcapacitors Ferroélectriques Cryogéniques (Sherbrooke)
🏢 ABG - Association Bernard Gregory
📍 Sherbrooke